پیزو الکتریسیته در نیمه هادی های گالیوم نیترات

نانو سیم های نیترید گالیوم در سه بعد دارای خواص پیزو الکتریک می باشد تائید قطبیت پیزوالکتریک روی افت پتانسیل ممکن است عامل مهمی باشد به این شکل که وقتی قطبیت پیزو الکتریک کاهش مییابد افت پتانسیل ساختار کوانتوم ول گالیم نترات بسیار بیشتر می شود میدان پیز و الکتریکی در نانو وایرهای کوانتومی گالیم نیترات نقش مهمی درانتشار نورنیتریدی دیود ها و لیزرها ایجاد می شود .که درطول موج قودرت نوسان گر و طول عمر ترکیب مجدداًتاثیر می گذارند . برای تعین میدان درونی روش های زیادی وجود دارد که بر پایه تقابل اثر استارک کوانتوم با تاثیر معکوس خارجی می باشد می توان قابلیت های نانووایر های کوانتوم را به صورت تابعی از این تاثر معکوس محاسبه کرد میدان درونی جمع میدانهایست که از تاثیر پیزوالکتریکی و قطبیت خود به خودی به وجود می اید که صورت کلی افت پتانسیل تقسیم برمسافت نوشته می شود. نتایج آزمایشی مشاهده شده را با میدان درونی مقایسه می شود با محاسبه مجدد این نتایج به کمک مدل پیوند p-i-n مقادیر49 و 105 نانو متر برای مقادیر افت پتانسیل باند 14- ولت می باشد که با میدان درونی eint=2/6mvcm-1مطابق است در نتیجه 5 درصد نتیجه تئوریکی می باشد . در این تحقیق تاثیرات پیزو الکتریک بر گالیوم نیترات مورد برسی قرار گرفته است